Глобальные продажи OnePlus 12 начались только три дня назад, и в компания уже поделилась результатами в своих соцсетях. Девайс пользуется популярностью и на мировом рынке – предпродажи смартфона за первый дань оказались выше предшественника OnePlus 11 на 212%. Такие цифры получились даже с учетом того, что глобальная версия значительно дороже китайской, эта разница особенно видна на рынке Европы.
Напомним, что девайс базируется на Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3, оснащен основной камерой с 50-Мп сенсором Sony LYT-808, а также 64-Мп модулем с телеобъективом с 3-кратным зумом, причем оба будут поддерживать технологии Hasselblad Camera for Mobile. Фронтальная камера может делать снимки разрешением до 32 Мп, 21 мм ЭФР и F/2.4. Трём физическим фотосенсорам в основном блоке помогает система обработки изображений Hasselblad HyperTone Camera. Дисплей BOE X1 получил рейтинг A+ по итогам тестов в лаборатории DisplayMate, также известно, что OnePlus внедрила набор механизмов для снижения утомления глаз и интенсивности синего излучения. В смартфоне используется матрица с разрешением 3168х1440 пикселей, динамической частотой обновления от 1 до 120 Гц, пиковой яркостью до 4500 нит, поддержкой Dolby Vision и частотой ШИМ-затемнения 2160 Гц, а прикрывает всё это закаленное стекло Gorilla Glass Victus 2.
На днях OnePlus выпустила смартфон 12R, который построен на флагманском процессоре прошлого года и представляет из себя ребрендинг Ace 3, продающийся только на территории Китая. Если говорить о Ace 3, то смартфон сохранил дизайн, который появился еще в модели OnePlus 11 – девайс получил дисплей с загнутыми краями, а также фирменную для OnePlus “шайбу” для тыльной камеры. Рамка смартфона, кстати, будет металлической. В отличие от топового OnePlus 12, Hasselblad не принимала участие в разработке камеры Ace 3. Смартфон имеет 6,78-дюймовый OLED-экран с матрицей BOE X1 с разрешением 2480х1264 пикселя и динамически регулируемой частотой обновления 120 Гц. Устройство базируется на прошлогоднем флагманском чипе Snapdragon 8 Gen 2, который представляет из себя восьмиядерный чипсет, изготавливающийся по 4-нанометровому техпроцессу.